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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BCY | 包装说明： | , CAN8,.2 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.87 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.2 µA |
| 标称共模抑制比： | 70 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 6000 µV | JESD-30 代码： | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码： | e0 | 低-失调： | NO |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | METAL | |
| 封装等效代码： | CAN8,.2 | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Operational Amplifier |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSS7N55 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| SSS7N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| SSS7N60A | SAMSUNG |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
|
| SSS7N60B | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| SSS7N80A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220F |
|
| S-SS8050HPLT1G | LEIDITECH |
获取价格 |
General Purpose Transistors NPN Silicon |
|
| S-SS8050HPLT3G | LEIDITECH |
获取价格 |
General Purpose Transistors NPN Silicon |
|
| S-SS8050HQLT1G | LEIDITECH |
获取价格 |
General Purpose Transistors NPN Silicon |
|
| S-SS8050HQLT3G | LEIDITECH |
获取价格 |
General Purpose Transistors NPN Silicon |
|
| S-SS8050HRLT1G | LEIDITECH |
获取价格 |
General Purpose Transistors NPN Silicon |
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