SSS7N60B

更新时间： 2024-02-02 06:04:12

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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600V N-Channel MOSFET

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SSS7N60B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	TO-220F, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSS7N60B 数据手册

SSP7N60B/SSS7N60B

600V N-Channel MOSFET

General Description

Features

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

planar, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the

avalanche and commutation mode. These devices are well

suited for high efficiency switch mode power supplies.

•

7.0A, 600V, R

= 1.2Ω @V = 10 V

DS(on) GS

Low gate charge ( typical 38 nC)

Low Crss ( typical 23 pF)

Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

TO-220F package isolation = 4.0kV (Note 6)

TO-220

SSP Series

TO-220F

SSS Series

D S

G D

Absolute Maximum Ratings

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

SSP7N60B

SSS7N60B

Units

Drain-Source Voltage

600

DSS

- Continuous (T = 25°C)

Drain Current

7.0

4.4

7.0 *

4.4 *

28 *

- Continuous (T = 100°C)

(Note 1)

Drain Current

- Pulsed

Gate-Source Voltage

± 30

420

7.0

GSS

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

14.7

5.5

V/ns

dv/dt

Power Dissipation (T = 25°C)

147

- Derate above 25°C

Operating and Storage Temperature Range

1.18

0.38

W/°C

°C

T , T

-55 to +150

300

STG

Maximum lead temperature for soldering purposes,

°C

1/8" from case for 5 seconds

* Drain current limited by maximum junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

SSP7N60B

SSS7N60B

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.

Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.

0.85

0.5

2.6

θJC

θCS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.

62.5

θJA

Rev. B, June 2002

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSS7N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220F
S-SS8050HPLT1G	LEIDITECH	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
S-SS8050HPLT3G	LEIDITECH	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
S-SS8050HQLT1G	LEIDITECH	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
S-SS8050HQLT3G	LEIDITECH	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
S-SS8050HRLT1G	LEIDITECH	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
S-SS8050HRLT3G	LEIDITECH	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
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S-SS8050HSLT3G	LEIDITECH	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
SSS80N06A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-220F

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