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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSS5N90A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220F |
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| SSS-60MD | SHINMEI |
获取价格 |
Body height 1.6mm, Compact-sized Surface-mounting Type Rotary-Switches |
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| SSS-60MD-10A-1-T20 | SHINMEI |
获取价格 |
Body height 1.6mm, Compact-sized Surface-mounting Type Rotary-Switches |
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| SSS-60MD-12A-1-T20 | SHINMEI |
获取价格 |
Body height 1.6mm, Compact-sized Surface-mounting Type Rotary-Switches |
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| SSS-60MD-8A-1-T20 | SHINMEI |
获取价格 |
Body height 1.6mm, Compact-sized Surface-mounting Type Rotary-Switches |
|
| SSS60N05 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 36A I(D) | SOT-186 |
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| SSS60N06 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSS6N55 | SAMSUNG |
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N CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSS6N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
N CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSS6N70A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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