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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 700 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSS3N80 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSS3N80A | SAMSUNG |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
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| SSS3N90 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSS3N90A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSS45N20B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| SSS45N20B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SSS4N55 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 550V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSS4N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| SSS4N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSS4N60AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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