5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.46 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 286 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSS45N20B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| SSS45N20B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SSS4N55 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 550V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSS4N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| SSS4N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSS4N60AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SSS4N60B | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| SSS4N70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 700V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SSS4N80 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SOT-186 |
|
| SSS4N80A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220F |
|
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
CR2032资料手册解读：参数分析、替换型号推荐
CDSOT23-SM712参数分析、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
