SSM9916H

更新时间： 2024-09-25 06:14:15

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SSC		晶体晶体管
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6页	420K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET

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SSM9916H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	Base Number Matches：	1

SSM9916H 数据手册

SSM9916H,J

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET

Low on-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

18V

25mΩ

35A

Capable of 2.5V gate drive

Low drive current

Simple drive requirement

Description

Power MOSFETs from Silicon Standard provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 12

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

I_D@ T_C=25°C

I_D@ T_C=125°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

P_D@ T_C=25°C

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.4

W/°C

°C

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

-55 to 150

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

2.5

Unit

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

°C/W

Rthj-a

110

Rev.2.02 1/29/2004

www.SiliconStandard.com

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