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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SS9015BBU
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SS9015BBU

更新时间： 2024-01-25 21:25:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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SS9015BBU 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：190 MHzBase Number Matches：1

SS9015BBU 数据手册

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SS9015  
Low Frequency, Low Noise Amplifier  
•
Complement to SS9014  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-45  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-100  
450  
A
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
W
C
T
T
150  
°C  
°C  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-50  
-45  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= -1mA, I =0  
B
I = -100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -50V, I =0  
-50  
-50  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= -5V, I = -1mA  
60  
200  
-0.2  
600  
-0.7  
-1.0  
-0.75  
7.0  
FE  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Base Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= -100mA, I = -5mA  
B
CE  
BE  
BE  
C
C
= -100mA, I = -5mA  
-0.82  
-0.65  
4.5  
V
V
B
V
= -5V, I = -2mA  
-0.6  
100  
CE  
C
C
V
= -10V, I =0  
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Noise Figure  
V
= -5V, I = -10mA  
190  
0.7  
MHz  
dB  
T
CE  
C
NF  
V
= -5V, I = -0.2mA  
10  
CE  
C
f=1KHz, R =1KΩ  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
A
B
C
h
60 ~ 150  
100 ~ 300  
200 ~ 600  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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