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SS9018FBU

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92

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SS9018FBU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.54
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1.7 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：54最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1100 MHz
Base Number Matches：1

SS9018FBU 数据手册

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SS9018  
AM/FM Amplifier, Local Oscillator of  
FM/VHF Tuner  
•
High Current Gain Bandwidth Product f =1.1 GHz (Typ)  
T
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
15  
CBO  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
400  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
15  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
=100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
=1.0mA, I =0  
B
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
V
=12V, I =0  
50  
198  
0.5  
1.7  
nA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
Emitter Cut-off Current  
V
=5V, I =1.0mA  
28  
100  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
=10mA, I =1mA  
V
CE  
C
B
C
V
=10V, I =0  
1.3  
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=5V, I =5mA  
700  
1100  
MHz  
T
CE  
C
h
Classification  
FE  
Classification  
D
E
F
G
H
I
h
28 ~ 45  
39 ~ 60  
54 ~ 80  
72 ~ 108  
97 ~ 146  
132 ~ 198  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A4, November 2002  
1234

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