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SS9016F

更新时间： 2024-02-22 12:04:20
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92,

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SS9016F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.92
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.025 A
基于收集器的最大容量：1.6 pF集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：54
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：620 MHzBase Number Matches：1

SS9016F 数据手册

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SS9016  
AM Converter, FM/RF Amplifier of Low Noise.  
•
High total power dissipation. (P =400mW)  
T
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
20  
CBO  
V
CEO  
EBO  
4
V
I
25  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
400  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
20  
4
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
=100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
=1mA, I =0  
B
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=30V, I =0  
100  
100  
198  
0.3  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=5V, I =1mA  
28  
90  
0.1  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
I
=10mA, I =1mA  
V
V
CE  
C
B
V
V
=5V, I =1mA  
0.72  
1.2  
BE  
CE  
C
C
=10V, I =0  
1.6  
5.0  
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Noise Figure  
V
=5V, I =1mA  
400  
620  
3.0  
MHz  
dB  
T
CE  
C
NF  
V
=5V, I =1.0mA  
C
CE  
f=100MHz, R =50Ω  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
D
E
F
G
H
I
h
28 ~ 45  
39 ~ 60  
54 ~ 80  
72 ~ 108  
97 ~ 146  
132 ~ 198  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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