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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.65 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SS9018G | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SS9018G | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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| SS9018-G | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| SS9018GBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| SS9018GBU | ROCHESTER |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
|
| SS9018GBU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
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| SS9018H | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SS9018H | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| SS9018-H | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
|
| SS9018HBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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