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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.54 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1.7 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 54 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SS9018G | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SS9018G | CJ |
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Transistor |
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| SS9018-G | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| SS9018GBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| SS9018GBU | ROCHESTER |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| SS9018GBU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
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| SS9018H | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SS9018H | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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| SS9018-H | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| SS9018HBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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