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SS9018-G

更新时间: 2024-01-01 09:21:33
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三星 - SAMSUNG 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92, TO-92, 3 PIN

SS9018-G 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.65
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.7 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1100 MHz
Base Number Matches:1

SS9018-G 数据手册

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