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SS9015CJ18Z

更新时间： 2024-09-25 14:36:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

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SS9015CJ18Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：190 MHzBase Number Matches：1

SS9015CJ18Z 数据手册

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SS9015  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
LOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIER  
· Complement to SS9014  
TO-92  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VCBO  
-50  
-45  
-5  
-100  
450  
150  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
TSTG  
-55 ~ 150  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IC = -100mA, IE =0  
IC = -1mA, IB =0  
IE = -100mA, IC =0  
VCB = -50V, IE =0  
VEB = -5V, IC =0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-50  
-45  
-5  
V
V
V
nA  
nA  
-50  
-50  
Emitter Cut-off Current  
IEBO  
VCE = -5V, IC = -1mA  
IC = -100mA, IB = -5mA  
IC = -100mA, IB = -5mA  
VCE = -5V, IC = -2mA  
VCB = -10V, IE =0  
f=1MHz  
VCE = -5V, IC = -10mA  
VCE = -5V, IC = -0.2mA  
f=1KHz, RS=1KW  
hFE  
DC Current Gain  
600  
-0.7  
-1.0  
-0.75  
7.0  
200  
-0.2  
-0.82  
-0.65  
4.5  
60  
-0.6  
100  
Collector-Base Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
VBE (on)  
COB  
V
V
pF  
MHz  
dB  
190  
0.7  
Current Gain-Bandwidth Product  
Noise Figure  
fT  
NF  
10  
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
A
B
C
hFE  
60-150  
100-300  
200-600  
Rev. B  
ã 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS9015CTA FAIRCHILD

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