SS1P4L

更新时间： 2024-11-05 04:02:51

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威世 - VISHAY		整流二极管
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4页	365K
描述
Low VF High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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SS1P4L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.38 V	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	45 A	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SS1P4L 数据手册

SS1P3L & SS1P4L

Vishay General Semiconductor

New Product

Low V High Current Density Surface Mount

Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.0 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020C

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

DO-220AA (SMP)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters, free-

wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection

applications.

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

1 A

30 V, 40 V

50 A

MECHANICAL DATA

E_AS

11.25 mJ

0.35 V, 0.38 V

150 °C

Case: DO-220AA (SMP)

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

V_F

T_jmax.

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

SS1P3L

13L

SS1P4L

14L

UNIT

Device marking code

Maximum repetive peak reverse voltage

V_RRM

I_F(AV)

T_L= 140 °C

T_L= 135 °C

1.0

1.5

Maximum average forward rectified current see Fig. 1

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave superimposed

on rated load

I_FSM

Non-repetitive avalanche energy at I_AS= 1.5 A, L = 10 mH, T_J= 25 °C

Voltage rate of change (rated V_R)

E_AS

11.25

V/µs

°C

dv/dt

10000

Operating junction and storage temperature range

_J,T_STG

- 55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

SS1P3L

SS1P4L

UNIT

at I_F= 1.0 A, T_J= 25 °C

at I_F= 1.0 A, T_J= 125 °C

0.45

0.35

0.48

0.38

Maximuminstantaneous forwardvoltage⁽¹⁾

V_F

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

200

150

µA

(1)

Maximum reverse current at rated V_R

I_R

Typical junction capacitance

at 4.0 V, 1 MHz

C_J

110

130

Document Number 88915

07-Feb-06

www.vishay.com

12 3 4

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与SS1P4L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SS1P4L-E3/84A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 40V V(RRM),
SS1P4L-E3/85A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 40V V(RRM),
SS1P4L-HE3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 40V V(RRM),
SS1P4LHE3/84A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 40V V(RRM),
SS1P4L-HE3/84A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 40V V(RRM), Silicon, DO-220AA, ROHS C
SS1P4LHE3/85A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1.5A, 40V V(RRM),
SS1P4L-HE3/85A	VISHAY	获取价格	1.5A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP, 2 PIN
SS1P4LHM3/85A	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
SS1P4L-M3/84A	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
SS1P4L-M3/85A	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL

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