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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP32,.56 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.5 mm |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 64KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP32,.56 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.1 mm | 最大待机电流： | 0.000025 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SRM20V512SLRT7 | SEIKO |
获取价格 |
64KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32 |
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| SRM20V512SLRX7 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| SRM20V512SLTMX7 | SEIKO |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 18.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
|
| SRM20V512SLTT7 | SEIKO |
获取价格 |
64KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP1-32 |
|
| SRM20V512SLTX7 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| SRM20V512SLYX7 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| SRM20V60CT | YFW |
获取价格 |
Low VF Schottky Rectifier |
|
| SRM20V60CT_V01 | YFW |
获取价格 |
Low VF Schottky Rectifier |
|
| SRM20V60DC | YFW |
获取价格 |
Low VF Schottky Rectifier |
|
| SRM20V60DC-R | YFW |
获取价格 |
Low VF Schottky Rectifier |
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