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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 700 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | -10 °C | 组织： | 1KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0000025 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SRM2114CT25 | SEIKO |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDIP18, |
|
| SRM2114M25 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| SRM2114ML7 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| SRM2114MT25 | SEIKO |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDSO24 |
|
| SRM21256N35 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| SRM21256N45 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| SRM21256N55 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| SRM2232-A | AUK |
获取价格 |
Dual Chip LED |
|
| SRM2264L | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED CMOS 64K BIT STATIC RAM |
|
| SRM2264L10 | SEIKO |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
|
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