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SRM20V512SLYX7

更新时间: 2024-02-03 20:56:17
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 429K
描述
x8 SRAM

SRM20V512SLYX7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1-R, TSSOP32,.56,20
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装等效代码:TSSOP32,.56,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000025 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

SRM20V512SLYX7 数据手册

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