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SQ4431EY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 20:55:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 255K
描述
MOSFET P-CH D-S 30V 8SOIC

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SQ4431EY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Samacsys Description：Vishay SQ4431EY-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 6.2 A, -30 V, 8-Pin SOIC配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：7.2 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：175 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SQ4431EY-T1-GE3 数据手册

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SQ4431EY  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• TrenchFET® Power MOSFET  
• 100 % Rg and UIS Tested  
• AEC-Q101 Qualifiedc  
- 30  
RDS(on) () at VGS = - 10 V  
RDS(on) () at VGS = - 4.5 V  
0.030  
0.052  
- 10.8  
Single  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
ID (A)  
Configuration  
S
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
D
P-Channel MOSFET  
Top View  
ORDERING INFORMATION  
Package  
SO-8  
SQ4431EY-T1-GE3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 30  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
- 10.8  
Continuous Drain Current  
ID  
T
C = 125 °C  
- 6.2  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Pulsed Drain Currenta  
IS  
- 5.4  
A
IDM  
IAS  
- 43.2  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
- 21  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
22  
mJ  
W
6
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
C = 125 °C  
2
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
92  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mountb  
°C/W  
Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
25  
Notes  
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.  
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
S13-1183-Rev. C, 20-May-13  
Document Number: 65527  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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SQ4431EY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SQ4431EY-T1_GE3 VISHAY

完全替代

 Small Signal Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SQ4470EY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
SQ4942EY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 DUAL N-CHANNEL 40V 175C (D-S) MOSFET - Tape and Reel

与SQ4431EY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SQ4435BEY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SQ4435EY VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE
SQ4435EY-T1_GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SQ4435EY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SQ4470EY FREESCALE

获取价格

 		Automotive N-Channel 60V (D-S) 175 °C MOSFET
SQ4470EY VISHAY

获取价格

 		Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE
SQ4470EY-T1_GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SQ4470EY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
SQ4483BEEY VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE
SQ4483BEEY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,

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