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SQ4483EY-T1_GE3

更新时间： 2024-09-28 21:12:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	245K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SQ4483EY-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	5.66	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.0085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	770 pF	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SQ4483EY-T1_GE3 数据手册

SQ4483EY

Vishay Siliconix

www.vishay.com

Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES

• TrenchFET^®power MOSFET

• AEC-Q101 qualified ^c

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

-30

0.0085

0.0200

-22

_DS(on)(Ω) at V_GS= -10 V

_DS(on)(Ω) at V_GS= -4.5 V

• 100 % R_gand UIS tested

• Material categorization:

I_D(A)

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

Configuration

Package

Single

SO-8

SO-8 Single

P-Channel

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

-30

V_GS

_C= 25 °C

-30

Continuous Drain Current

I_D

_C= 125 °C

-30

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Pulsed Drain Current ^a

I_S

-30

I_DM

I_AS

E_AS

-84

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

-32

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation ^a

P_D

T_C= 125 °C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

-55 to +175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

R_thJA

LIMIT

UNIT

Junction-to-Ambient

PCB Mount ^b

°C/W

Junction-to-Foot (Drain)

R_thJF

Notes

a. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.

b. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).

c. Parametric verification ongoing.

S15-1806-Rev. A, 10-Aug-15

Document Number: 74794

For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SQ450M0010L5SW1325	YAGEO	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF
SQ450M0022C7F11632	YAGEO	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF
SQ450M0033L7S11836	YAGEO	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 33uF
SQ450M0082L7F11836	YAGEO	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 82uF
SQ450M0082L7SW1836	YAGEO	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 82uF
SQ450M3R30L5FW1019	YAGEO	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 3.3u
SQ4532100K3	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR
SQ4532100M2	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR
SQ4532100ML	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR
SQ4532101K2	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR

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