是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 315 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 6.8 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SQ4435EY | VISHAY |
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Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ4435EY-T1_GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- | |
SQ4435EY-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP | |
SQ4470EY | FREESCALE |
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Automotive N-Channel 60V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SQ4470EY | VISHAY |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ4470EY-T1_GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
SQ4470EY-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | |
SQ4483BEEY | VISHAY |
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Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ4483BEEY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
SQ4483EEY | VISHAY |
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Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE |