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SQ4470EY-T1_GE3 PDF预览

SQ4470EY-T1_GE3

更新时间： 2024-11-16 20:06:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 290K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SQ4470EY-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks 1 day
风险等级：5.75配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：195 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SQ4470EY-T1_GE3 数据手册

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SQ4470EY  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® Power MOSFET  
• AEC-Q101 Qualifiedc  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
RDS(on) () at VGS = 10 V  
RDS(on) () at VGS = 6 V  
0.012  
0.014  
16  
• 100 % Rg and UIS Tested  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
ID (A)  
Configuration  
Single  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
Top View  
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
SO-8  
SQ4470EY-T1-GE3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
VDS  
60  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
20  
TC = 25 °C  
16  
Continuous Drain Current  
ID  
TC = 125 °C  
9
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Pulsed Drain Currenta  
IS  
6
A
IDM  
IAS  
EAS  
67  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
50  
125  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
mJ  
W
7.1  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
C = 125 °C  
2.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
80  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mountb  
°C/W  
Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
21  
Notes  
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.  
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
c. Parametric verification ongoing.  
S12-1845-Rev. C, 30-Jul-12  
Document Number: 65673  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...12

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SQ4470EY-T1_GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SQ4942EY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 DUAL N-CHANNEL 40V 175C (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SQ4431EY-T1-GE3 VISHAY

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SQ4470EY-T1-GE3 VISHAY

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与SQ4470EY-T1_GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SQ4470EY-T1-GE3 VISHAY

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 		MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
SQ4483BEEY VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE
SQ4483BEEY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SQ4483EEY VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE
SQ4483EY VISHAY

获取价格

 		Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFE
SQ4483EY-T1_GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SQ450M0010L5SW1325 YAGEO

获取价格

 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF
SQ450M0022C7F11632 YAGEO

获取价格

 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF
SQ450M0033L7S11836 YAGEO

获取价格

 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 33uF
SQ450M0082L7F11836 YAGEO

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 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 82uF

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