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SQ4435EY-T1_GE3

更新时间： 2024-11-16 19:58:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	263K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SQ4435EY-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	335 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SQ4435EY-T1_GE3 数据手册

SQ4435EY

Vishay Siliconix

www.vishay.com

Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET^®Power MOSFET

• AEC-Q101 Qualified^c

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 30

0.018

0.031

- 15

_DS(on)() at V_GS= - 10 V

_DS(on)() at V_GS= - 4.5 V

I_D(A)

• 100 % R_gand UIS Tested

Configuration

Single

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SO-8

SQ4435EY-T1-GE3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 30

UNIT

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

_C= 25 °C

- 15

I_D

Continuous Drain Current

T_C= 125 °C

- 8.7

- 6.2

- 60

I_S

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Pulsed Drain Current^a

I_DM

I_AS

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

- 25

L = 0.1 mH

E_AS

T_C= 25 °C

6.8

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_C= 125 °C

2.3

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

R_thJA

LIMIT

UNIT

PCB Mount^b

Junction-to-Ambient

°C/W

R_thJF

Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Pulse test; pulse width  300 μs, duty cycle  2 %.

b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

c. Parametric verification ongoing.

S11-2109 Rev. B, 31-Oct-11

Document Number: 67932

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SQ4435EY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SQ4470EY	FREESCALE	获取价格	Automotive N-Channel 60V (D-S) 175 Â°C MOSFET
SQ4470EY	VISHAY	获取价格	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Â°C MOSFE
SQ4470EY-T1_GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SQ4470EY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
SQ4483BEEY	VISHAY	获取价格	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 Â°C MOSFE
SQ4483BEEY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
SQ4483EEY	VISHAY	获取价格	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 Â°C MOSFE
SQ4483EY	VISHAY	获取价格	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 Â°C MOSFE
SQ4483EY-T1_GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-

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