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SQ4470EY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 20:07:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	250K
描述
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

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SQ4470EY-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	195 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SQ4470EY-T1-GE3 数据手册

SQ4470EY

Vishay Siliconix

www.vishay.com

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES

• TrenchFET^®Power MOSFET

• AEC-Q101 Qualified^c

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

R_DS(on)() at V_GS= 10 V

R_DS(on)() at V_GS= 6 V

0.012

0.014

• 100 % R_gand UIS Tested

• Material categorization:

For definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

I_D(A)

Configuration

Single

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SO-8

SQ4470EY-T1-GE3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 125 °C

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Pulsed Drain Current^a

I_S

I_DM

I_AS

E_AS

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

125

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

7.1

Maximum Power Dissipation^a

P_D

_C= 125 °C

2.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

R_thJA

LIMIT

UNIT

Junction-to-Ambient

PCB Mount^b

°C/W

Junction-to-Foot (Drain)

R_thJF

Notes

a. Pulse test; pulse width  300 μs, duty cycle  2 %.

b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

c. Parametric verification ongoing.

S12-1845-Rev. C, 30-Jul-12

Document Number: 65673

For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SQ4483BEEY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
SQ4483EEY	VISHAY	获取价格	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 Â°C MOSFE
SQ4483EY	VISHAY	获取价格	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 Â°C MOSFE
SQ4483EY-T1_GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SQ450M0010L5SW1325	YAGEO	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 450V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF
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