SPD02N60

更新时间： 2024-11-21 22:21:31

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SIPMO Power Transistor

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SPD02N60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	TO-252, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	135 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	5.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	55 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPD02N60 数据手册

SPD02N60

SPU02N60

Preliminary data

SIPMOS Power Transistor

• N-Channel

• Enhancement mode

• Avalanche rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

Q67040-S4133

Q67040-S4127-A2

DS(on)

@ V

SPD02N60

SPU02N60

600 V 2 A

= 10 V P-TO252

P-TO251

5.5 Ω

Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

T = 100 °C

1.3

Pulsed drain current

IDpulse

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

135

I = 2 A, V = 50 V, R = 25 Ω,

T = 25 °C

Gate source voltage

Power dissipation

±20

tot

T = 25 °C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... +150

55/150/56

°C

stg

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Semiconductor Group

10 / 1998

12 3 4 5 6 7...9

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