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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD04N60C3 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPD04N60C3_08 | INFINEON |
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Cool MOS Power Transistor |
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| SPD04N60C3AT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SPD04N60C3BT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SPD04N60C3BTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SPD04N60S5 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPD04N60S5XT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SPD04N80C3 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPD04N80C3_08 | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
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| SPD04N80C3AT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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