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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDD5N50NZTM | FAIRCHILD |
功能相似  |
N-Channel MOSFET 500V, 4A, 1.5ï |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD03N50C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
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| SPD03N50C3BT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SPD03N60C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPD03N60C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
|
| SPD03N60C3AT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| SPD03N60C3BT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SPD03N60C3BTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPD03N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPD03N60S5BTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPD04N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
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