5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.45 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.8 A | 最大漏源导通电阻： | 6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 11 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD02N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPD02N50C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
|
| SPD02N50C3BTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SPD02N60 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMO Power Transistor |
|
| SPD02N60C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPD02N60C3_05 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
|
| SPD02N60C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
|
| SPD02N60C3BTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SPD02N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPD02N60S5BTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
