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Datasheet > 暂无类别数据> SN74LVC1G00YEPR
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SN74LVC1G00YEPR

更新时间： 2024-11-01 23:09:43
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德州仪器 - TI 输入元件
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17页 442K
描述
SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE

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SN74LVC1G00YEPR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：VFBGA, BGA5,2X3,20
针数：5Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.49系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-XBGA-B5长度：1.4 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.024 A功能数量：1
输入次数：2端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA5,2X3,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：4.7 ns传播延迟（tpd）：9 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：0.5 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：0.9 mmBase Number Matches：1

SN74LVC1G00YEPR 数据手册

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SCES212T − APRIL 1999 − REVISED JUNE 2005  
D
Available in the Texas Instruments  
NanoStarand NanoFreePackages  
D
D
D
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
Operation  
D
D
D
D
D
Supports 5-V V  
Operation  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
CC  
Inputs Accept Voltages to 5.5 V  
ESD Protection Exceeds JESD 22  
− 2000-V Human-Body Model (A114-A)  
− 200-V Machine Model (A115-A)  
Max t of 3.8 ns at 3.3 V  
pd  
Low Power Consumption, 10-µA Max I  
CC  
24-mA Output Drive at 3.3 V  
− 1000-V Charged-Device Model (C101)  
YEA, YEP, YZA,  
DBV PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DCK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DRL PACKAGE  
(TOP VIEW)  
OR YZP PACKAGE  
(BOTTOM VIEW)  
3
2
1
4
5
Y
GND  
B
1
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A
B
V
CC  
A
B
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1
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A
B
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Y
CC  
V
A
CC  
4
GND  
Y
4
GND  
Y
4
GND  
See mechanical drawings for dimensions.  
description/ordering information  
This single 2-input positive-NAND gate is designed for 1.65-V to 5.5-V V  
operation.  
CC  
The SN74LVC1G00 performs the Boolean function Y = A • B or Y = A + B in positive logic.  
NanoStarand NanoFreepackage technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the  
die as the package.  
This device is fully specified for partial-power-down applications using I . The I circuitry disables the outputs,  
off  
off  
preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NanoStar and NanoFree are trademarks of Texas Instruments.  
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Copyright 2005, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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SN74LVC1G00YEPR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN74LVC1G00YZAR TI

完全替代

 SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE
SN74LVC1G00YEAR TI

完全替代

 SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE
SN74LVC1G00YZPR TI

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 SINGLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE

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