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SMTHDT80

更新时间： 2024-09-09 04:03:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 电信集成电路电信电路电信保护电路光电二极管综合业务数字网
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
TRISILTM DISCRETE SOLUTION FOR ISDN PROTECTION

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SMTHDT80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOC/SOD-15,针数：2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.83JESD-30 代码：R-PDSO-C2
长度：6.45 mm功能数量：1
端子数量：2最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOC/SOD-15封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.1 mm表面贴装：YES
电信集成电路类型：SURGE PROTECTION CIRCUIT温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
宽度：5 mmBase Number Matches：1

SMTHDT80 数据手册

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SMTHDTxx  
Application Specific Discretes  
A.S.D.TM  
TRISIL  
DISCRETE SOLUTION FOR ISDN PROTECTION  
FEATURES  
UNDIRECTIONAL CROWBAR  
PROTECTION.  
PEAK PULSE CURRENT:  
IPP = 75 A , 10/1000 µs.  
HOLDINGCURRENT = 150mA.  
BREAKDOWN VOLTAGE:  
SMTHDT58 = 58V.  
SMTHDT80 = 80V.  
SMTHDT120 = 120V.  
PACKAGES:  
SMTHDTxx = SURFACE MOUNT PACKAGE.  
SMC  
FUNCTIONAL DIAGRAM.  
DESCRIPTION: TRIBALANCED PROTECTION  
Dedicated protection devices for ISDN LINE  
CARD and high speed data telecom lines.  
A
Used with the recommended configurationusing  
3 components,theywill provide =  
- Dual bidirectionnal protection,with fixed  
breakdownvoltage in both common and  
differentialmodes.  
- Low capacitancesfrom lines to ground.  
- Very good capacitancebalance : ∆C= 30 pF.  
K
ABSOLUTE RATINGS (limiting values) (-40°C ≤ Tamb ≤ +85°C)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
IPP  
10/1000 µs  
8/20 µs  
75  
150  
A
Peakpulse current  
ITSM  
tp = 20 ms  
30  
A
Non repetitive surge peak on-state  
current  
di/dt  
Non repetitive  
67% VBR  
100  
5
A/µs  
Critical rate of rise of on-state current  
Critical rate of rise of off-state voltage  
dv/dt  
KV/µs  
Tstg  
Tj  
- 40 to + 150  
+ 150  
°C  
°C  
Storage and operating junction temperaturerange  
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Rth (j-l)  
SMC  
200  
°C/W  
Junction-leadsThermal Resistance  
April 1999 - Ed: 1A  
1/6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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