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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SMMBD2835LT1G
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SMMBD2835LT1G

更新时间： 2024-01-13 23:59:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
35 V Dual Common Anode Switching Diode

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SMMBD2835LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：5.69
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.05 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.225 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SMMBD2835LT1G 数据手册

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ON Semiconductort  
MMBD2835LT1  
MMBD2836LT1  
Monolithic Dual Switching  
Diodes  
3
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
1
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
Reverse Voltage  
Forward Current  
MMBD2835LT1  
MMBD2836LT1  
V
35  
75  
Vdc  
R
CASE 318–08, STYLE 12  
SOT–23 (TO–236AB)  
I
F
100  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CATHODE  
Symbol  
Max  
Unit  
1
ANODE  
3
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
2
T
= 25°C  
A
CATHODE  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
qJA  
P
D
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
qJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
MMBD2835LT1 = A3X; MMBD2836LT1 = A2X  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage (I = 100 µAdc)  
MMBD2835LT1  
MMBD2836LT1  
V
(BR)  
35  
75  
—
—
Vdc  
R
Reverse Voltage Leakage Current (Note 3)  
I
R
—
—
nAdc  
(V = 30 Vdc)  
MMBD2835LT1  
MMBD2836LT1  
100  
100  
R
(V = 50 Vdc)  
R
Diode Capacitance (V = 0 V, f = 1.0 MHz)  
C
V
—
4.0  
pF  
R
T
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
—
—
—
1.0  
1.0  
1.2  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 50 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time (I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) (Figure 1)  
t
rr  
—
4.0  
ns  
F
R
R(REC)  
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 3  
MMBD2835LT1/D  
1234

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与SMMBD2835LT1G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SMMBD2837LT1 ONSEMI 0.15A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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SMMBD2837LT1G ONSEMI 35 V Dual Common Cathode Switching Diode

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