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SMJ4C1024-10HJM PDF预览

SMJ4C1024-10HJM

更新时间： 2024-11-21 13:13:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 414K
描述
1MX1 FAST PAGE DRAM, 100ns, CDSO20, CERAMIC, LCC-20

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SMJ4C1024-10HJM 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DLCC包装说明：CERAMIC, LCC-20
针数：20Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：100 ns
其他特性：CAS BEFORE RAS REFRESHI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-CDSO-J20长度：17.145 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：20
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：1MX1
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ20/26,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：512
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：3.48 mm
最大待机电流：0.003 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8.382 mm
Base Number Matches：1

SMJ4C1024-10HJM 数据手册

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SMJ4C1024  
1048576 BY 1-BIT  
DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY  
SGMS023E – DECEMBER 1988 – REVISED MARCH 1996  
HJ PACKAGE  
(TOP VIEW)  
JD PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Organization . . . 1048576 × 1-Bit  
Processed to MIL-STD-883, Class B  
Single 5-V Supply (10% Tolerance)  
D
W
RAS  
TF  
1
2
3
4
5
20  
19  
18  
17  
16  
V
SS  
Q
CAS  
NC  
A9  
D
W
RAS  
TF  
A0  
A1  
V
SS  
Q
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
Performance Ranges:  
CAS  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
ACCESS ACCESS ACCESS  
READ  
OR  
WRITE  
CYCLE  
(MIN)  
TIME  
TIME  
TIME  
NC  
t
t
t
a(R)  
a(C)  
a(CA)  
(t  
(t  
RAC  
)
(t  
CAC  
)
)
AA  
(MAX)  
(MAX)  
(MAX)  
A2  
A3  
A0  
A1  
A2  
A3  
6
15  
14  
13  
12  
11  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
’4C1024-80  
’4C1024-10  
’4C1024-12  
’4C1024-15  
80 ns  
100 ns  
120 ns  
150 ns  
20 ns  
25 ns  
30 ns  
40 ns  
40 ns  
45 ns  
55 ns  
70 ns  
150 ns  
190 ns  
220 ns  
260 ns  
7
V
CC  
8
9
Enhanced Page-Mode Operation for Faster  
Memory Access  
– Higher Data Bandwidth Than  
Conventional Page Mode Parts  
– Random Single-Bit Access Within a Row  
With a Column Address  
V
10  
CC  
HK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
V
D
W
RAS  
TF  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
1
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
SS  
Q
2
CAS  
NC  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
3
One of TI’s CMOS Megabit Dynamic  
Random-Access Memory (DRAM) Family  
Including SMJ44C256 — 256K × 4  
Enhanced Page Mode  
4
5
6
7
CAS-Before-RAS (CBR) Refresh  
8
9
Long Refresh Period  
V
10  
CC  
512-Cycle Refresh in 8 ms (Max)  
3-State Unlatched Output  
Low Power Dissipation  
FQ/HL PACKAGES  
(TOP VIEW)  
SV PACKAGE  
(SIDE VIEW)  
A9  
Q
D
RAS  
NC  
A0  
D
W
RAS  
TF  
10 11  
V
SS  
Q
CAS  
NC  
A9  
1
All Inputs/Outputs and Clocks Are  
TTL-Compatible  
CAS  
2
4
9
8
7
6
12  
13  
14  
15  
3
V
SS  
5
Packaging Offered:  
– 20/26-Pin J-Leaded Ceramic Surface  
Mount Package (HJ Suffix)  
– 18-Pin 300-Mil Ceramic Dual-In-Line  
Package (JD Suffix)  
– 20-Pin Ceramic Flatpack (HK Suffix)  
– 20/26-Terminal Leadless Ceramic  
Surface Mount Package (FQ/HL Suffixes)  
– 20-Pin Ceramic Zig-Zag In-Line Package  
(SV Suffix)  
W
6
7
TF  
NC  
A1  
A3  
A4  
A6  
A8  
8
NC  
9
10  
12  
14  
16  
18  
20  
11  
13  
15  
17  
19  
A2  
V
CC  
A5  
A7  
A0  
A1  
A2  
A3  
5
4
3
2
1
16  
17  
18  
19  
20  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
V
CC  
Operating Temperature Range  
– 55°C to 125°C  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1996, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...27

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMJ4C1024-10HK TI

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 		1048576 BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
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