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SMJ4C1024-12HJM

更新时间： 2024-11-22 08:15:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	861K
描述
1MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDSO20, CERAMIC, LCC-20

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SMJ4C1024-12HJM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DLCC	包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34
针数：	20	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-CDSO-J20
长度：	17.145 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ20/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	3.48 mm	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.382 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ4C1024-12HK	TI	获取价格	1048576 BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ4C1024-12HKM	TI	获取价格	1MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDFP20, CERAMIC, DFP-20
SMJ4C1024-12HL	TI	获取价格	1048576 BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ4C1024-12HLM	TI	获取价格	1MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDSO20, CERAMIC, LCC-26/20
SMJ4C1024-12JD	TI	获取价格	1048576 BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ4C1024-12JDM	TI	获取价格	1MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDIP18, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18
SMJ4C1024-12SV	TI	获取价格	1048576 BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ4C1024-12SVM	TI	获取价格	1MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
SMJ4C1024-15FQ	TI	获取价格	1048576 BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ4C1024-15FQM	TI	获取价格	暂无描述