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SMJ4C1024-12FQM

更新时间: 2024-02-20 11:06:20
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 861K
描述
1MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDSO20

SMJ4C1024-12FQM 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SON, SOLCC20/26,.35Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:120 ns其他特性:CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-CDSO-N20
长度:17.145 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:SON
封装等效代码:SOLCC20/26,.35封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:2.34 mm最大待机电流:0.003 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8.89 mmBase Number Matches:1

SMJ4C1024-12FQM 数据手册

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