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SMJ44400-80HMM

更新时间： 2024-01-11 09:50:57

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	1298K
描述
1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDSO20, 0.400 INCH, CERAMIC, SOLCC-26/20

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SMJ44400-80HMM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DLCC
包装说明：	0.400 INCH, CERAMIC, SOLCC-26/20	针数：	26
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-CDSO-N20
JESD-609代码：	e0	长度：	17.78 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1MX4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	SON	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	2.337 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ44400-80HR	MICROSS	获取价格	DRAM
SMJ44400-80HRM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDFP20, CERAMIC, DFP-20
SMJ44400-80JDBM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDIP20
SMJ44400-80JDM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BREAZED, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400-80SV	MICROSS	获取价格	DRAM
SMJ44400-80SVM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400HR	AUSTIN	获取价格	1M x 4 DRAM DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ44400JD	AUSTIN	获取价格	1M x 4 DRAM DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ44400JD-10/IT	MICROSS	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400JD-10/XT	MICROSS	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20