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SMJ44400-80HRM

更新时间： 2024-09-25 15:51:51

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	852K
描述
1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDFP20, CERAMIC, DFP-20

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SMJ44400-80HRM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFP	包装说明：	DFP, FL20,.5
针数：	20	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDFP-F20	长度：	17.775 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL20,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	2.54 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	12.446 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ44400-80JDBM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDIP20
SMJ44400-80JDM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BREAZED, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400-80SV	MICROSS	获取价格	DRAM
SMJ44400-80SVM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400HR	AUSTIN	获取价格	1M x 4 DRAM DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ44400JD	AUSTIN	获取价格	1M x 4 DRAM DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMJ44400JD-10/IT	MICROSS	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400JD-10/XT	MICROSS	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400JD-12/883C	MICROSS	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 120ns, CMOS, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400JD-12/XT	MICROSS	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 120ns, CMOS, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20