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SMJ4464-20JDS

更新时间： 2024-09-26 19:21:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	510K
描述
64KX4 PAGE MODE DRAM, 200ns, CDIP18, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18

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SMJ4464-20JDS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18	针数：	18
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.77
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T18	长度：	22.606 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	PAGE MODE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	18
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	64KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP18,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.08 mm
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	NMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ44C250-12HJM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28
SMJ44C250-12JDM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
SMJ44C251	TI	获取价格	262144 BY 4-BIT MULTIPORT VIDEO RAM
SMJ44C251-10HJM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28
SMJ44C251-10JDM	TI	获取价格	IC 256K X 4 VIDEO DRAM, 100 ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Dynamic
SMJ44C251-12HJM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28
SMJ44C251-12JDM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
SMJ44C251-15HJM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 150ns, CDSO28, 1.27 MM PITCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, J LEADED, SOP-2
SMJ44C251-15JDM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 150ns, CDIP28, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-2
SMJ44C251B	AUSTIN	获取价格	256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM