Datasheet > SMJ44400-12JDM

SMJ44400-12JDM

更新时间： 2024-01-14 19:11:57

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	615K
描述
1MX4 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDIP20, 0.400 INCH, SIDE BREAZED, CERAMIC, DIP-20

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMJ44400-12JDM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP20,.4	针数：	20
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T20
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP20,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	3.556 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ44400-12SV	MICROSS	获取价格	DRAM,
SMJ44400-12SVM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
SMJ44400-80/HRM	MICROSS	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, CDFP20, CERAMIC, DFP-20
SMJ44400-80HL	MICROSS	获取价格	DRAM
SMJ44400-80HLM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDSO20, 0.350 X 0.675 INCH, CERAMIC, LCC-20
SMJ44400-80HLMT	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDSO20, 0.350 X 0.675 INCH, CERAMIC, LCC-20
SMJ44400-80HMM	ROCHESTER	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDSO20, 0.400 INCH, CERAMIC, SOLCC-26/20
SMJ44400-80HR	MICROSS	获取价格	DRAM
SMJ44400-80HRM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDFP20, CERAMIC, DFP-20
SMJ44400-80JDBM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, CDIP20