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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 110 ns | 最大开启时间（吨）： | 50 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBT2907E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| SMBT2907E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| SMBT35200MT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Current Surface Mount PNP Silicon |
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| SMBT3904 | SURGE |
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Small Signal Bipolar Transistor, TO-236, |
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| SMBT3904 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Switching Transistor |
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| SMBT3904 / MMBT3904 | INFINEON |
获取价格 |
NPN 硅开关晶体管 |
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| SMBT3904DW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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| SMBT3904E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| SMBT3904E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| SMBT3904E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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