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SMBT2907A

更新时间: 2024-10-01 22:50:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 182K
描述
PNP Silicon Switching Transistors

SMBT2907A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.12Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.33 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):110 ns最大开启时间(吨):50 ns
Base Number Matches:1

SMBT2907A 数据手册

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PNP Silicon Switching Transistors  
SMBT 2907  
SMBT 2907 A  
High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: SMBT 2222,  
SMBT 2222 A (NPN)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
SMBT 2907  
SMBT 2907 A  
s2B  
s2F  
Q68000-A6501  
Q68000-A6474  
B
E
C
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
SMBT 2907  
SMBT 2907 A  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
VCE0  
VCB0  
VEB0  
40  
60  
V
60  
5
Collector current  
I
C
600  
330  
150  
mA  
mW  
˚C  
Total power dissipation, TS = 77 ˚C  
Junction temperature  
P
tot  
T
j
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
290  
220  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

SMBT2907A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SMBT2907AE6327 INFINEON

完全替代

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
PMBT2907AT/R NXP

类似代替

600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
MMBT2907ALT1G ONSEMI

功能相似

General Purpose Transistors

与SMBT2907A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBT2907A / MMBT2907A INFINEON

获取价格

PNP 硅开关晶体管
SMBT2907A_07 INFINEON

获取价格

PNP Silicon Switching Transistor Low collector-emitter saturation voltage
SMBT2907AE6327 INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
SMBT2907AE6433 INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
SMBT2907AE6433XT INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
SMBT2907E6327 INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
SMBT2907E6433 INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
SMBT35200MT1G ONSEMI

获取价格

High Current Surface Mount PNP Silicon
SMBT3904 SURGE

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, TO-236,
SMBT3904 INFINEON

获取价格

NPN Silicon Switching Transistor