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SMBJP6KE15AHE3-TP-HF

更新时间： 2024-09-10 07:51:23

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	601K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

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SMBJP6KE15AHE3-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SMBJP6KE15AHE3-TP-HF 数据手册

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SMBJP6KE13(C)AHE3 THRU SMBJP6KE91(C)AHE3

E480232

Features

•

AEC-Q101 Qualified

For Surface Mount Applicationsin Order to Optimize Board Space

Low Inductance

Available in Both Unidirectional and Bidirectional Construction

and Suffix"C" Designates Bidirectional Type

Halogen Free

Excellent Clamping Capability

Fast Response Time: Typical Less than 1.0ps From 0 Volts to V_BR

Minimum

600 Watt TVS

13 to 91 Volts

•

Moisture Sensitivity Level 1

Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

SMB (DO-214AA)

(LEAD FRAME)

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix Designates

RoHS Compliant. See Ordering Information)

Mechanical Data

• Polarity: Color Band Denotes Positive End( cathode)

Except Bi-directional Types

• Maximum Soldering Temperature:260°C for 10 Seconds

• Manufacturing Code Added for Better Tracking

Cathode Mark

• Terminals: Solderable Per MIL-STD-750, Method 2026

Maximum Ratings

DIMENSIONS

•

Operating Junction Temperature Range: -55°C to +175°C

Storage Temperature Range: -55°C to +175°C

Thermal Resistance : 20°C/W Junction to Lead

INCHES

DIM

NOTE

MIN MAX MIN MAX

0.079 0.103 2.00 2.62

0.075 0.087 1.91 2.21

0.002 0.008 0.05 0.20

0.006 0.012 0.15 0.31

0.030 0.060 0.76 1.52

0.065 0.091 1.65 2.32

0.200 0.220 5.08 5.59

0.160 0.191 4.06 4.85

0.130 0.155 3.30 3.94

•

Thermal Resistance : 25°C/W Junction to Case

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Power

Surge Current on

10/1000μs Waveform

I_PP

See the Table Note 2

Peak Pulse Power

Dissipation

P_PP

600W

Note 2

SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT

NOTES:

2.69mm

1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7a.

2. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T_A=25 °C per Fig.4.

Pin Configuration:

2.11mm

Cathode

Anode

Uni-directional

Bi-directional

1.27mm

Rev.3-2-03212019

1/4

MCCSEMI.COM

12 3 4

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与SMBJP6KE15AHE3-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJP6KE15AP	MCC	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppress
SMBJP6KE15AQ	MCC	获取价格	Tape :3K/Reel, 48K/Ctn;
SMBJP6KE15A-T	MCC	获取价格	Transient Suppressor,
SMBJP6KE15A-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE15A-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
SMBJP6KE15ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE15CA	MCC	获取价格	Transient Voltage Suppressor 6.8 to 550 Volts 600 Watt
SMBJP6KE15CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE15CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE15CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

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