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SKM145GAL128DN

更新时间: 2024-11-24 04:04:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 652K
描述
SPT IGBT Module

SKM145GAL128DN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-204包装说明:CASE D 93, SEMITRANS 2N, 7 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):190 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X7
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:7封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):640 ns标称接通时间 (ton):240 ns
Base Number Matches:1

SKM145GAL128DN 数据手册

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SKM 145GB128DN  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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typ.  
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Preliminary Data  
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Features  
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GB  
GAL  
1
14-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  

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