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SKM145GAL128DN

更新时间： 2024-02-16 23:44:09
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 652K
描述
SPT IGBT Module

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SKM145GAL128DN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-204包装说明：CASE D 93, SEMITRANS 2N, 7 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：190 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e2元件数量：2
端子数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：640 ns标称接通时间 (ton)：240 ns
Base Number Matches：1

SKM145GAL128DN 数据手册

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SKM 145GB128DN  
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Characteristics  
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GB  
GAL  
1
14-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  
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与SKM145GAL128DN相关器件

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SKM145GAL174DN SEMIKRON

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