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SKM145GAX123D

更新时间： 2024-02-28 14:20:49
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网通用开关栅晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 2747K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D61, 7 PIN

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SKM145GAX123D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：145 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：1端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：830 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：GENERAL PURPOSE SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：470 ns
标称接通时间 (ton)：240 nsVCEsat-Max：3 V
Base Number Matches：1

SKM145GAX123D 数据手册

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SEMITRANS® M  
IGBT Modules  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions 1)  
VCES  
Values  
Units  
V
V
A
A
1200  
1200  
145 / 110  
290 / 220  
± 20  
VCGR  
IC  
RGE = 20 kΩ  
Tcase = 25/80 °C  
SKM 145 GAX 123 D 6)  
SKM 145 GAY 123 D 6)  
ICM  
Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
VGES  
Ptot  
V
per IGBT, Tcase = 25 °C  
830  
W
°C  
V
Tj, (Tstg  
Visol  
)
–40 ... +150 (125)  
2500  
AC, 1 min.  
humidity DIN 40 040  
Class F  
40/125/56  
climate  
DIN IEC 68 T.1  
Diode  
Inverse  
Series 6)  
IF = –IC  
T
case = 25/80 °C  
130 / 90  
300 / 220  
1100  
145 / 115  
290 / 220  
1450  
A
A
A
A2s  
SEMITRANS 2  
IFM = –ICM Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
IFSM  
I2t  
tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; Tj = 150 °C  
6000  
10500  
Characteristics  
Symbol Conditions 1)  
min.  
typ.  
max.  
Units  
V(BR)CES VGE = 0, IC = 4 mA  
≥ VCES  
4,5  
–
–
5,5  
0,2  
9
–
2,5(3,1)  
3(3,8)  
–
–
6,5  
2
–
1
3(3,7)  
–
V
V
mA  
mA  
µA  
V
VGE(th)  
ICES  
VGE = VCE, IC = 4 mA  
VGE = 0 Tj = 25 °C  
CE = VCES Tj = 125 °C  
GAX  
GAY  
V
–
–
–
–
Features  
IGES  
VGE = 20 V, VCE = 0  
• N channel, Homogeneous  
Silicon structure (NPT-IGBT)  
• Very low tail current with low  
temperature dependence  
• High short circuit capability,  
self limiting to 6 * Icnom  
VCEsat  
VCEsat  
gfs  
IC = 100 A VGE = 15 V;  
IC = 150 A Tj = 25 (125) °C  
VCE = 20 V, IC = 100 A  
V
S
54  
–
CCHC  
Cies  
Coes  
Cres  
LCE  
per IGBT  
–
–
–
–
–
–
6,5  
1000  
500  
–
350  
8,5  
1500  
600  
30  
pF  
nF  
pF  
pF  
nH  
VGE = 0  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
• Latch-up free  
• Fast & soft inverse CAL diodes 8)  
• Isolated copper baseplate using  
DCB Direct Copper Bonding  
• Large clearance (10 mm) and  
creepage distances (20 mm).  
td(on)  
tr  
td(off)  
VCC = 600 V  
–
–
–
–
–
–
160  
80  
400  
70  
16  
12  
320  
160  
520  
100  
–
ns  
ns  
ns  
ns  
mWs  
mWs  
VGE = +15 V / –15 V 3)  
IC = 100 A, ind. load  
RGon = RGoff = 6,8 Ω  
Tj = 125 °C  
tf  
Eon  
Eoff  
5)  
5)  
Typical Applications  
–
Inverse Diode 8)  
• Switching (not for linear use)  
• Bidirectional switches  
• Regenerative Braking  
VF = VEC IF = 100 A VGE = 0 V;  
VF = VEC IF = 150 A Tj = 25 (125) °C  
–
–
–
–
–
–
2,0(1,8)  
2,25(2,1)  
–
2,5  
–
1,2  
11  
–
V
V
V
mΩ  
A
µC  
• Quasi resonant inverters (CSI)  
VTO  
rT  
IRRM  
Qrr  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
8
1)  
IF = 100 A; Tj = 25 (125) °C 2)  
35(50)  
5(14)  
T
= 25 °C, unless otherwise  
case  
IF = 100 A; Tj = 25 (125) °C 2)  
–
specified  
2) IF = – IC, VR = 600 V,  
Series Diode 6) 8)  
– diF/dt = 1000 A/µs, VGE = 0 V  
3) Use VGEoff = –5 ... –15 V  
5) See fig. 2 + 3; RGoff = 6,8 Ω  
6) The series diodes have the data of the  
inverse diodes of SKM 200 GB 123 D  
8) CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology.  
VF = VEC IF = 100 A VGE = 0 V;  
VF = VEC IF = 150 A Tj = 25 (125) °C  
–
–
–
–
1,9(1,7)  
2,1(1,8)  
–
2,4  
–
1,2  
7
–
–
V
V
V
mΩ  
A
µC  
VTO  
rT  
IRRM  
Qrr  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
IF = 100 A; Tj = 25 (125) °C 2)  
IF = 100 A; Tj = 25 (125) °C 2)  
–
40(65)  
5(15)  
–
Thermal characteristics  
Cases and mech. data  
→ B 6 – 130  
Diagrams of IGBT and inverse  
diode → B 6 – 124, of series  
diode on B 6 – 152 to 153  
Rthjc  
Rthjc  
Rthch  
per IGBT  
per inverse/series diode 6)  
per module  
–
–
–
–
–
–
0,15  
0,36/0,30 °C/W  
0,05 °C/W  
°C/W  
© by SEMIKRON  
0898  
B 6 – 129  
12345678

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与SKM145GAX123D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM145GAY123D SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D61, 7 PIN
SKM145GB063DN SEMIKRON

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 		Superfast NPT-IGBT Modules
SKM145GB066D SEMIKRON

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 		Trench IGBT Modules
SKM145GB066D_09 SEMIKRON

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 		Trench IGBT Modules
SKM145GB123D SEMIKRON

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 		SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM145GB123D_06 SEMIKRON

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 		IGBT Modules
SKM145GB123D_07 SEMIKRON

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 		IGBT Modules
SKM145GB124D SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 190A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D61, 7 PIN
SKM145GB124DN SEMIKRON

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 		Low Loss IGBT Modules
SKM145GB128D SEMIKRON

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 		SPT IGBT Module

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