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SKM1200MLI12BE4

更新时间： 2023-12-06 20:11:18
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1996K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 10 (250x90x38)

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SKM1200MLI12BE4 数据手册

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SKM1200MLI12BE4  
Fig. 13: Typ. IGBT2 output characteristics IC=f(VCE),  
Tj=150°C (chiplevel)  
Fig. 14: Typ. IGBT2 switching losses E=f(IC)  
Fig. 16: Typ. Diode1 forward characteristics IF=f(VF)  
(chiplevel)  
Fig. 15: Typ. IGBT2 switching losses E=f(RG)  
Fig. 17: Typ. Diode1 switching losses E=f(IF)  
Fig. 18: Typ. Diode1 switching losses E=f(RG)  
© by SEMIKRON  
Rev. 5.0 – 26.06.2020  
7
1...4567891011

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