Datasheet > SKKT106B18EG6

SKKT106B18EG6

更新时间： 2024-11-06 20:58:43

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
4页	389K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 191.54A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 Element, SEMIPACK-7

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SKKT106B18EG6 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.72
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：	100 mA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	130 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	191.54 A	断态重复峰值电压：	1800 V
重复峰值反向电压：	1800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

SKKT106B18EG6 数据手册

SKKT 106B18 E G6

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Chip

Values

Unit

T_c= 85 °C

T_c= 100 °C

T_j= 25 °C

T_j= 130 °C

T_j= 25 °C

T_j= 130 °C

I_T(AV)

122

sinus 180°

I_TSM

2250

1900

25313

18050

1900

1800

140

10 ms

i²t

A²s

10 ms

SEMIPACK^®1

Thyristor Modules

SKKT 106B18 E G6

Features

V_RSM

V_RRM

V_DRM

T_j= 130 °C

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

T_j

A/µs

V/µs

°C

1000

-40 ... 130

Module

T_stg

-40 ... 125

3000

°C

1 min

1 s

V_isol

a.c.; 50 Hz; r.m.s.

3600

• Heat transfer through aluminium oxide

ceramic isolated metal baseplate

• UL recognized, file no. E63532

Characteristics

Typical Applications

• DC motor control (e. g. for machine

tools)

• AC motor soft starters

• Temperature control (e. g. for ovens,

chemical processes)

• Professional light dimming (studios,

theaters)

Symbol Conditions

Chip

min.

typ.

max.

Unit

T_j= 25 °C, I_T= 300 A

V_T

1.62

0.8

1.69

0.9

T_j= 130 °C

V_T(TO)

r_T

I_DD;I_RD

t_gd

2.90

3.15

mΩ

µs

T_j= 130 °C, V_DD= V_DRM; V_RD= V_RRM

T_j= 25 °C, I_G= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

V_D= 0.67 * V_DRM

t_gr

µs

T_j= 130 °C

t_q

200

150

300

µs

T_j= 25 °C

I_H

250

600

T_j= 25 °C, R_G= 33 Ω

T_j= 25 °C, d.c.

I_L

V_GT

I_GT

2.5

T_j= 25 °C, d.c.

100

T_j= 130 °C, d.c.

V_GD

I_GD

R_th(j-c)

0.25

T_j= 130 °C, d.c.

K/W

per chip

0.190

0.095

0.200

0.100

0.210

0.105

cont.

per module

per chip

sin. 180°

R_th(j-c)

per module

per chip

rec. 120°

per module

Module

R_th(c-s)

chip

0.22

0.11

K/W

module

M_s

M_t

to heatsink M5

to terminals M5

4.25

2.55

5.75

3.45

5 * 9,81 m/s²

SKKT

Rev. 3 – 30.10.2009

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SKKT106B18EG6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKKT107B16E	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 119000mA I(T), 1600V V(RRM)
SKKT118/16EG6	SEMIKRON	获取价格	Trigger Device
SKKT118/18EG6	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 186.83A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 Element, SEMI
SKKT118B12EG6	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 186.83A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, SEMI
SKKT118B16EG6	SEMIKRON	获取价格	Trigger Device
SKKT118B18EG6	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 186.83A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 Element, SEMI
SKKT122	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT122/08D	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 195A I(T)RMS, 122000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele
SKKT122/08E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT122/12E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules

与SKKT106B18EG6相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKKT106B18EG6

SKKT106B18EG6 技术参数

SKKT106B18EG6 数据手册

与SKKT106B18EG6相关器件

与SKKT106B18EG6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKKT106B18EG6

SKKT106B18EG6 技术参数

SKKT106B18EG6 数据手册

与SKKT106B18EG6相关器件

与SKKT106B18EG6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？