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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SKKT132/16E
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SKKT132/16E

更新时间： 2024-09-15 22:43:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 977K
描述
Thyristor / Diode Modules

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SKKT132/16E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：7Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED标称电路换相断开时间：150 µs
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：2 V
快速连接描述：2G-2GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：400 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e2最大漏电流：40 mA
通态非重复峰值电流：4700 A元件数量：2
端子数量：7最大通态电流：130000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：220 A
重复峰值关态漏电流最大值：40000 µA断态重复峰值电压：1600 V
重复峰值反向电压：1600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKKT132/16E 数据手册

 浏览型号SKKT132/16E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKKT132/16E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKKT132/16E的Datasheet PDF文件第4页 
SKKT 132, SKKH 132, SKNH 132  
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SKKH  
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06-02-2004 NOS  
© by SEMIKRON  
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SKKT132/16E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SKKT132/12E SEMIKRON

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 Thyristor / Diode Modules

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKT132/18E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT132/20E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 2
SKKT132/22E SEMIKRON

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