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SKKT131/16E PDF预览

SKKT131/16E

更新时间： 2024-11-06 17:42:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 315K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 130000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, CASE A13, 7 PIN

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SKKT131/16E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-240
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CUFM-X7针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.72其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED标称电路换相断开时间：150 µs
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：2G-2GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：400 mAJESD-30 代码：R-CUFM-X7
最大漏电流：50 mA通态非重复峰值电流：4700 A
元件数量：2端子数量：7
最大通态电流：130000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：235.5 A
重复峰值关态漏电流最大值：50000 µA断态重复峰值电压：1600 V
重复峰值反向电压：1600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKKT131/16E 数据手册

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SEMIPACK®  
Thyristor/ Diode Modules  
3
VRSM VRRM (dv/  
ITRMS (maximum values for continuous operation)  
240 A 270 A 240 A 270 A  
TAV (sin. 180; Tcase = . . .)  
V/µs 150 A (85 °C) 172 A (81 °C) 150 A (85 °C) 172 A (81 °C)  
VDRM dt)cr  
I
V
V
SKKT 131  
SKKT 161  
SKKH 131  
SKKH 161  
SKKT  
SKKT  
161/08 D  
161/12 D  
161/12 E  
161/14 E  
161/16 E  
161/18 E  
–
SKKH  
131/08 D  
–
131/12 E  
131/14 E  
131/16 E  
131/18 E  
131/20 E  
131/22 E  
SKKH  
161/08 D  
161/12 D  
161/12 E  
161/14 E  
161/16 E  
161/18 E  
–
900 800 500 131/08 D  
1300 1200 500 131/12 D  
1300 1200 1000  
1500 1400 1000  
1700 1600 1000  
1900 1800 1000  
2100 2000 1000  
2300 2200 1000  
131/12 E  
131/14 E  
131/16 E  
131/18 E  
131/20 E  
131/22 E  
–
–
SKKT 131  
SKKH 131 SKKH 161  
SKKT 161  
Symbol Conditions  
ITAV sin. 180; Tcase  
Units  
=
81 °C  
85 °C  
–
150  
172  
160  
A
A
92 °C  
130  
–
ID  
B2/B6  
Tamb  
=
P 16/170 F  
P 16/200 F  
P 16/300 F  
295/375  
300/380  
– /390  
340/3x290  
385/3x312  
– /3x318  
325/410  
330/415  
– /425  
380/3x310  
385/3x337  
– /3x344  
A
A
A
A
A
A
IRMS  
W1/W3 35 °C; P 16/170 F  
P 16/200 F  
P 16/300 F  
SKKT  
SKKH  
ITSM  
Tvj  
vj = 130 °C; 10 ms  
Tvj 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
vj = 130 °C; 8,3 ... 10 ms  
Tvj 25 °C; IG = 1 A;  
diG/dt = 1 A/µs  
VD = 0,67 VDRM  
(di/dt)cr Tvj = 130 °C  
=
25 °C; 10 ms  
4 700  
4 000  
110 000  
80 000  
5 400  
5 000  
145 000  
125 000  
A
A
T
i2t  
=
A2 s  
A2 s  
Features  
T
•
Heat transfer through aluminium  
tgd  
tgr  
=
nitride ceramic isolated metal  
baseplate  
Precious metal pressure  
contacts for high reliability  
UL recognized, file no. 63 532  
1
2
µs  
µs  
.
•
•
200  
A/µs  
µs  
mA  
A
tq  
IH  
IL  
Tvj = 130 °C  
typ. 50 . . . 150  
typ. 150; max. 400  
typ. 0,3; max. 1  
Tvj  
Tvj  
=
=
25 °C  
25 °C; RG = 33 Ω  
Typical Applications  
•
•
•
DC motor control (e. g. for  
machine tools)  
Temperature control (e. g. for  
ovens, chemical processes)  
Professional light dimming  
(studios, theaters)  
VT  
V(TO)  
rT  
Tvj  
=
25 °C; IT = 500 A  
max. 1,7  
1
1,4  
max. 1,55  
V
V
mΩ  
Tvj = 130 °C  
Tvj = 130 °C  
1
1,0  
IDD; IRD Tvj = 130 °C; VDD = VDRM  
VRD = VRRM  
max. 50  
max. 50  
mA  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
Tvj  
Tvj  
=
=
25 °C; d. c.  
25 °C; d. c.  
3
V
mA  
V
150  
0,25  
10  
Tvj = 130 °C; d. c.  
Tvj = 130 °C; d. c.  
mA  
Rthjc  
cont.  
sin. 180  
rec. 120  
0,19/0,09  
0,20/0,10  
0,22/0,11  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
per thyristor/  
per module  
Rthch  
Tvj, Tstg  
0,06/0,03  
– 40 . . . +130  
°C/W  
°C  
Visol  
M1  
M2  
a
w
a. c. 50 Hz; r.m.s.; 1 s/1 min  
3600/3000  
V
to heatsink  
to terminals  
SI (US) units  
SI (US) units  
5 (44 lb. in.) ± 15 %1)  
Nm  
Nm  
9 (80 lb. in.) ± 15 %2)  
5
9,81  
m/s2  
g
.
1)  
2)  
approx.  
820  
See the assembly instructions  
The screws must be lubricated  
Case  
→ page B 1 – 76  
SKKT: A 13  
SKKH: A 14  
© by SEMIKRON  
0896  
B 1 – 71  
123456

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与SKKT131/16E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKT131/18E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 130000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2
SKKT131/20E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 240A I(T)RMS, 130000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 2 E
SKKT132 SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor / Diode Modules
SKKT132/08D SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 130000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele
SKKT132/08E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
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获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 2

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