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SKKT15/12 PDF预览

SKKT15/12

更新时间： 2024-11-28 20:46:59
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
4页 206K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 23.55A I(T)RMS, 15000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, SEMIPACK-5

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SKKT15/12 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-D5
针数：5Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.81
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
标称电路换相断开时间：80 µs配置：SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：100 mA
最大直流栅极触发电压：3 V快速连接描述：A-K-AK
螺丝端子的描述：0最大维持电流：150 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-D5JESD-609代码：e2
最大漏电流：8 mA通态非重复峰值电流：320 A
元件数量：2端子数量：5
最大通态电流：15000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：23.55 A重复峰值关态漏电流最大值：8000 µA
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SKKT15/12 数据手册

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SEMIPACK®  
Thyristor/ Diode Modules  
0
VRSM VRRM (dv/dt)cr ITRMS (maximum values for continuous operation)  
VDRM  
24 A1); 28 A2)  
24 A1); 28 A2)  
ITAV (sin. 180; Tcase = 65 °C)  
SKKT 15  
SKKH 15  
V
V
V/µs  
17,5 A2)  
17,5 A2)  
500  
700  
900  
1300 1200  
1500 1400  
1700 1600  
400  
600  
800  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
SKKT 15/04  
SKKT 15/06  
SKKT 15/08  
SKKT 15/12  
SKKT 15/14  
SKKT 15/16  
SKKH 15/04  
SKKH 15/06  
SKKH 15/08  
SKKH 15/12  
SKKH 15/14  
SKKH 15/16  
SKKT 15  
SKKH 15  
Symbol Conditions  
ITAV  
sin. 180; Tcase = 65 °C  
Tcase = 75 °C  
Tamb = 45 °C; P 13A/100  
W1/W3 Tamb = 45 °C; P 13A/100  
17,5 A2)  
15 A1)  
ID  
B2/B6  
14 A/17 A  
IRMS  
21 A/3 x 12 A  
ITSM  
i2t  
Tvj 25 °C; 10 ms  
vj = 125 °C; 10 ms  
Tvj 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
vj = 125 °C; 8,3 ... 10 ms  
Tvj 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/µs  
VD = 0,67 VDRM  
=
320 A  
280 A  
T
=
510 A2s  
T
390 A2s  
SKKT  
SKKH  
tgd  
tgr  
=
1 µs  
1 µs  
.
(di/dt)cr Tvj = 125 °C  
100 A/µs  
typ. 80 µs  
Features  
tq  
Tvj = 125 °C  
•
Heat transfer through aluminium  
oxide ceramic isolated metal  
baseplate  
IH  
IL  
Tvj  
Tvj  
=
=
25 °C; typ./max.  
25 °C; RG = 33 Ω; typ./max.  
80 mA/150 mA  
150 mA/300 mA  
VT  
Tvj  
=
25 °C; IT = 75 A  
max. 2,45 V  
1,1 V  
20 mΩ  
•
•
Hard soldered joints for high  
reliability  
UL recognized, file no. E 63 532  
VT(TO) Tvj = 125 °C  
rT Tvj = 125 °C  
DD; IRD Tvj = 125 °C; VDD = VDRM; VRD = VRRM  
I
max. 8 mA  
Typical Applications  
VGT  
IGT  
Tvj  
Tvj  
=
=
25 °C; d. c.  
25 °C; d. c.  
3 V  
100 mA  
0,25 V  
5 mA  
•
•
•
DC motor control (e. g. for  
machine tools)  
Temperature control (e. g. for  
ovens, chemical processes)  
Professional light dimming  
(studios, theaters)  
VGD  
IGD  
Tvj = 125 °C; d. c.  
Tvj = 125 °C; d. c.  
Rthjc  
cont.  
1,6/0,8 °C/W  
1,7/0,9 °C/W  
1,8/0,9 °C/W  
sin. 180  
rec.120  
per thyristor/per module  
Rthch  
Tvj  
0,2/0,1 °C/W  
– 40 ... +125 °C  
– 40 ... +125 °C  
3600 V /3000 V  
1,5 Nm/13 lb. in.  
Tstg  
Visol  
M1  
a. c. 50 Hz; r.m.s.; 1 s/1 min  
Case to heatsink; SI units/US units  
± 15 %3)  
2
.
a
w
5
9,81 m/s  
50 g  
approx.  
Case  
→ page B 1 – 30  
SKKT 15: A1  
SKKH 15: A2  
1)  
Using tin plated connectors with flexible leads of 6 mm2 for the main  
terminals  
2)  
3)  
Flexible leads of 6 mm2 soldered to the main terminals  
See the assembly instructions  
© by SEMIKRON  
0896  
B 1 – 27  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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