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SKKT132/12E PDF预览

SKKT132/12E

更新时间： 2024-11-05 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 可控硅二极管
页数 文件大小 规格书
4页 977K
描述
Thyristor / Diode Modules

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SKKT132/12E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：7Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：2.28
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
标称电路换相断开时间：150 µs配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：2 V快速连接描述：2G-2GR
螺丝端子的描述：A-K-AK最大维持电流：400 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-X7JESD-609代码：e3/e4
最大漏电流：40 mA通态非重复峰值电流：4700 A
元件数量：2端子数量：7
最大通态电流：130000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：220 A重复峰值关态漏电流最大值：40000 µA
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：TIN/SILVER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SKKT132/12E 数据手册

 浏览型号SKKT132/12E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKKT132/12E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKKT132/12E的Datasheet PDF文件第4页 
SKKT 132, SKKH 132, SKNH 132  
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SKKH  
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06-02-2004 NOS  
© by SEMIKRON  
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与SKKT132/12E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKT132/14E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT132/16E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT132/18E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT132/20E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 2
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