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SKiiP 02NAC12T4V1

更新时间： 2024-09-15 14:53:27

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	361K
描述
IGBT Modules MiniSKiiP II 0 (34x31x16)

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SKiiP 02NAC12T4V1

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

1200

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

I_C

T_j= 150 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

MiniSKiiP^®0

-20 ... 20

V_CC= 800 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

_CES≤ 1200 V

T_j

-40 ... 175

SKiiP 02NAC12T4V1

Features*

Inverse - Diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

7.5

-40 ... 175

°C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 150 °C

T_j= 175 °C

• Trench 4 IGBTs

I_F

• Robust and soft switching freewheeling

diodes in CAL technology

I_FRM

I_FSM

T_j

• Highly reliable spring contacts for

electrical connections

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

• UL recognized: File no. E63532

Rectifier - Diode

T_j= 25 °C

T_s= 25 °C, T_j= 150 °C

Remarks

V_RRM

I_F

1600

220

200

242

• Max. case temperature limited to

T_C=T_S=125 °C

T_j= 25 °C

I_FSM

t_p= 10 ms

sin 180°

• Product reliability results valid for

T_j≤150 °C (recommended

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

i²t

A²s

°C

_j,op=-40...+150 °C)

t_p= 10 ms

sin 180°

• MiniSKiiP “Technical Explanations”

and “Mounting Instructions” are part of

the data sheet. Please refer to both

documents for further information.

• For storage and case temperature with

TIM see document: “Technical

Explanations Thermal Interface

Materials”

200

-40 ... 150

T_j

Module

I_t(RMS)

T_stg

T_terminal= 80 °C, 20 A per spring

module without TIM

°C

-40 ... 125

2500

V_isol

AC sinus 50 Hz, 1 min

Characteristics

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 4 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.85

2.25

2.10

2.45

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

263

388

5.8

0.90

0.80

300

413

6.5

mΩ

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

V_GE= V_CEV, I_C= 1 mA

T_j= 25 °C

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

0.25

0.03

0.02

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

NAC

Rev. 5.0 – 21.09.2021

12 3 4 5 6

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