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SKiiP 11AC12T4V1

更新时间： 2024-09-15 14:55:31

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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描述
IGBT Modules MiniSKiiP II 1 (42x40x16)

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SKiiP 11AC12T4V1 数据手册

SKiiP 11AC12T4V1

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_C

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

MiniSKiiP^®1

-20 ... 20

V_CC= 800 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

_CES≤ 1200 V

T_j

-40 ... 175

SKiiP 11AC12T4V1

Features*

Inverse - Diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

-40 ... 175

°C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

• Trench 4 IGBTs

I_F

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

• Robust and soft switching freewheeling

diodes in CAL technology

I_FRM

I_FSM

T_j

• Highly reliable spring contacts for

electrical connections

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

• UL recognized: File no. E63532

Typical Applications

Module

I_t(RMS)

T_stg

• Inverter up to 8 kVA

T_terminal= 80 °C, 20 A per spring

module without TIM

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

-40 ... 125

2500

°C

• Typical motor power 4 kW

V_isol

Remarks

• V_CEsat, V_F= chip level value

Characteristics

• Case temp. limited to T_C= 125°C max.

(for baseplateless modules T_C= T_S)

• product rel. results valid for T_j≤150

(recomm. T_op= -40 ... +150°C)

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

V_CE(sat)

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 8 A

T_j= 25 °C

1.85

2.25

2.10

2.45

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

131

194

5.8

0.90

0.80

150

206

6.5

mΩ

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE= V_CE, I_C= 1 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

0.49

0.05

0.03

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 8 A

_{G on}= 56 Ω

_{G off}= 56 Ω

E_on

t_d(off)

t_f

0.87

300

di/dt_on= 280 A/µs

di/dt_off= 90 A/µs

V_GE= +15/-15 V

T_j= 150 °C

E_off

0.75

per IGBT, λ_paste=0.8 W/(mK)

per IGBT, λ_paste=2.5 W/(mK)

R_th(j-s)

1.84

1.58

K/W

Rev. 4.0 – 21.09.2021

12 3 4 5 6

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