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SK60GAL123

更新时间： 2024-11-26 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 525K
描述
IGBT Module

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SK60GAL123 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CASE T18, SEMITOP 2, 7 PIN
针数：7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：58 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：490 ns
标称接通时间 (ton)：160 nsBase Number Matches：1

SK60GAL123 数据手册

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SK 60 GAL 123  
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SK 60 GAR 123  
SK 60 GAL 123  
Preliminary Data  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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GAL  
GAR  
1
20-10-2005 RAM  
© by SEMIKRON  
1234

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